東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)–東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出了採用薄型SO6L封裝的兩款光耦TLP5705HTLP5702H,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣閘極驅動IC。這兩款元件即日起開始量產出貨。

TLP5705H採用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄型封裝(SO6L),是東芝首款可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。採用緩衝電路進行電流放大的中小型逆變器和伺服放大器等設備,現在可直接透過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩衝器。這將有助於減少元件數量並實現設計小型化。

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可相容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1],便於替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板元件布局提供更高的靈活性,並支援電路板背面安裝,或用於元件高度受限的新型電路設計。

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40至125ºC),使其更容易設計和保持溫度裕度。

此外,東芝提供的同系列元件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),採用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。

注:

[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)

[2] 目前產品:採用SDIP6封裝的TLP700H

應用

工業設備

  • 工業逆變器、交流伺服驅動器、太陽能逆變器、UPS等。

特性

  • 高峰值輸出電流額定值(Ta=-40℃至125℃時)

    IOP=±2.5A (TLP5702H)

    IOP=±5.0A (TLP5705H)
  • 薄型SO6L封裝
  • 高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125°C

主要規格

(除非另有說明,Ta=-40℃至125℃時)

元件型號

TLP5702H

TLP5705H

TLP5702H(LF4)

TLP5705H(LF4)

封裝

名稱

SO6L

SO6L(LF4)

尺寸(mm)

10×3.84(典型值) 

厚度:2.3(最大值)

11.05×3.84(典型值) 

厚度:2.3(最大值)

絕對最大額定值

工作溫度Topr (°C)

-40至125

峰值輸出電流IOPH/IOPL (A)

±2.5

±5.0

±2.5

±5.0

電氣特性

峰值高電平輸出電流 

IOPH最大值(A)

IF=5mA, 

VCC=15V, 

V6-5=-7V時

-2.0

峰值低電平輸出電流 

IOPL最小值(A)

IF=0mA, 

VCC=15V, 

V5-4=7V時

2.0

峰值高電平輸出電流(L/H) 

IOLH最大值(A)

IF=0→10mA, 

VCC=15V, 

Cg=0.18μF, 

CVDD=10μF時

-3.5

-3.5

峰值低電平輸出電流(H/L) 

IOHL最小值(A)

IF=10→0mA, 

VCC=15V, 

Cg=0.18μF, 

CVDD=10μF時

3.0

3.0

電源電壓VCC (V)

15至30

電源電流ICCH、ICCL最大值(mA)

3.0

輸入電流閾值(L/H) 

IFLH最大值(mA)

5

開關特性

傳播延遲時間 

tpHL、tpLH最大值(ns)

200

脈衝寬度失真 

|tpHL–tpLH|最大值(ns)

50

傳播延遲差 

(元件到元件) 

tpsk (ns)

-80至80

共模 

瞬變抗性 

CMH、CML最小值(kV/μs)

Ta=25°C時

±50

隔離特性

隔離電壓 

BVS最小值(Vrms)

Ta=25°C時

5000

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