東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)–東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）推出了採用薄型SO6L封裝的兩款光耦TLP5705H和TLP5702H，可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣閘極驅動IC。這兩款元件即日起開始量產出貨。 TLP5705H採用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄型封裝(SO6L)，是東芝首款可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。採用緩衝電路進行電流放大的中小型逆變器和伺服放大器等設備，現在可直接透過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩衝器。這將有助於減少元件數量並實現設計小型化。 TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可相容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1]，便於替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄，能夠為電路板元件布局提供更高的靈活性，並支援電路板背面安裝，或用於元件高度受限的新型電路設計。 這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃（Ta=-40至125ºC），使其更容易設計和保持溫度裕度。 此外，東芝提供的同系列元件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4)，採用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。 注： [1] 封裝高度：4.25毫米（最大值） [2] 目前產品：採用SDIP6封裝的TLP700H 應用 工業設備 工業逆變器、交流伺服驅動器、太陽能逆變器、UPS等。 特性 高峰值輸出電流額定值（Ta＝-40℃至125℃時） IOP=±2.5A (TLP5702H) IOP=±5.0A (TLP5705H) 薄型SO6L封裝 高工作溫度額定值：Topr（最大值）=125°C 主要規格 （除非另有說明，Ta=-40℃至125℃時） 元件型號 TLP5702H TLP5705H TLP5702H(LF4) TLP5705H(LF4) 封裝 —>READ MORE
